SPM investigation of C thin films irradiated with energetic ions

鳴海 一雅; 楢本 洋

Proceedings of 3rd International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices '01 (ALC '01), p.322 - 325, 2001/11

Si(111)上のC 薄膜に対して、360 keV Ar,Arイオンを1.010/cmから1.110/cm照射した際の照射効果を調べた。照射前の薄膜は絶縁性を示したが、1.110/cmの照射量で電気伝導性を示すようになった。ラマン分光分析によるとこの時の薄膜はほとんど非晶質炭素になっており、この電気伝導性は、C分子の分解によって生じた伝導性を持った炭素同位体によって生じたことを明らかにした。1.110/cm以上の照射量では、ラマンスペクトル中のC分子の特徴は完全に消失し、薄膜の表面形態に著しい変化が観測された。この形態の変化はArイオンによるスパッタリングとC分子の分解による高密度化によるものと考えられる。